器件调用时不同的实例(instance)可能会对应同一个Submaster.

Pcell是在版图基础之上实现的，所以首先需要完成Pcell对应的版图部分工作，然后定义不同的参数，并将不同的参数赋予不同的意义，实现Pcell的功能。

以NMOS的版图为例，在此版图基础上设计Pcell, 可以参考PDK中提供的Pcell学习，逐步实现PDK中提供的Pcell功能，熟悉之后可以根据自己的需求自定义Pcell.

简单的Pcell MOS管 可以完成以下功能：

• 修改MOS管W：可以根据需要修改MOS管的W参数，并给定范围。
• 修改MOS管L：可以根据需要修改MOS管的L参数，并给定范围。
• 自动调整源、漏接触孔：在MOS管的W参数改变的同时，可以自动增加或者减少源、漏接触孔数量。

• Stretch: 与版图中拉伸工具实现相同的功能，可以对部分版图进行拉伸，其中Pcell的很多尺寸改变都是通过这一命令实现，比如：W、L值的改变。
• Conditional Inclusion: 根据设置的条件包含或者去除某些对象，比如：当W大于某一值时自动增加finger数。
• Repetition: 复制对象参数，比如实现在MOS管的W参数改变的同时，可以自动增加或者减少源、漏接触孔数量。
• Compile：定义完参数的版图一定需要通过编译才可以作为Pcell使用，可以选择直接编译成Pcell或者生成相应的skill脚本。

了解以上四个功能即可完成上面给出的设计目标，剩下的功能在后面会慢慢介绍，首先介绍一下这四个基本功能的使用。

Stretch功能：实现对象的水平或者垂直拉伸，使用时首先需要画一条control line, 作为stretch命令的参考线，之后会弹出对话框，输入本条stretch命令的name和reference dimension等。

对于refernece dimension很多初学者都不容易理解，其中有一种方法可以很好记住：这个值就是当前版图中你想要stretch对象的尺寸，也可以认为为Pcell中该参数的默认值。

stretch direction：是指拉伸的方向，一般习惯使用两个方向同时拉伸，这样更改参数时器件中心坐标不会改变。但是为了方便设置Repetition命令，可经常定义单方向的拉伸。

完成stretch control line的相关定义之后可以选择：Compile->To Pcell, 将设计编译为Pcell, 然后新建版图view, 调用自定义的Pcell，并打开属性对话框，观察改变参数时器件的相应变化。

按照同样的方法，定义一条沿Y轴的Stretch命令，用来改变MOS管的Width参数，注意这里reference dimension值应该和此时版图中MOS管的宽度对应，如下图所示。

Repetition命令：用来实现复制功能，比如实现MOS管宽度变化时contact数量增减的功能。Repetition命令还可以设置与Stretch命令关联，设置依拉伸总量决定复制数量（默认状态）或者设置依据复制数量决定拉伸量等。

通过定义contact的复制命令，可以实现当MOS管Width参数改变时，自动计算contact数量。

有一点需要注意，这时候关于Width的Stretch命令的拉伸方向最好不要选择两个方向同时拉伸，否则会导致contact无法对齐问题，关于这个大家可以实际操作一下，观察现象。

通过简单的图形化操作，可以实现上面的NMOS Pcell器件，更多的Pcell制作内容会陆续给大家介绍，也希望对这方面内容感兴趣的同学可以多加尝试，有很多概念需要在实验中逐渐理解。